FQPF10N60C

Power MOSFET、Nチャネル、QFET®、600 V、9.5A、730mΩ、TO-220F

Overview

これらNチャネル拡張モード電界効果トランジスタは独自のプレーナストライプ、DMOS技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、高効率スイッチモード電源、力率補正、ハーフブリッジに基づく電子ランプバラストに最適です。

特長

9.5 A、600 V、R_DS(on) = 730 mΩ (最大) @ V_GS = 10 V、I_D = 4.75 A
少量のゲート電荷 (通常 44 nC）
低Crss (通常 18 pF）
100%電子なだれテスト済み

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQPF10N60C

Last Shipments

TO-220-3 FullPak

221AT

TUBE

1000

600

730

N-Channel

Single

9.5

6.7

1570

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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