FQPF33N10

パワー MOSFET、N チャネル、QFET®、100 V、18 A、52 mΩ、TO-220F

Overview

この N チャネル・エンハンスメント・モード・パワー MOSFET は、当社独自のプレーナ・ストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、オーディオ・アンプ、DC モータ制御、および可変スイッチング電源アプリケーションに適しています。

アプリケーション

LCD TV
PDP TV
LED TV

特長

少量のゲート電荷 (通常 38nC)
低C_rss (通常 62pF)
100%電子なだれテスト済み
最大175℃の接合部温度定格
175°C maximum junction temperature rating

材料組成

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQPF33N10

Last Shipments

TO-220-3 FullPak

221AT

TUBE

1000

100

N-Channel

Single

±25

1250

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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