FQPF6N80C

パワー MOSFET、N チャネル、QFET®、800 V、5.5 A、2.5 Ω、TO-220F

Overview

この N チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、当社独自のプレーナストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、アクティブ力率補正 (PFC)、および電子ランプバラストに適しています。

アプリケーション

LCD TV
ホームオーディオシステムコンポーネント
照明用
その他の産業用

特長

5.5A、800V、 R_DS(on) = 2.5Ω(最大) @V_GS = 10 V、 I_D = 2.75A
少量のゲート電荷 (通常 21nC)
低C_rss (通常 8pF)
100%電子なだれテスト済み

材料組成

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQPF6N80C

Last Shipments

TO-220-3 FullPak

221AT

TUBE

1000

800

2500

N-Channel

Single

±30

5.5

1010

Price N/A

FQPF6N80CT

Obsolete

TO-220-3 FullPak

221AT

TUBE

1000

800

2500

N-Channel

Single

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5.5

1010

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