パワー MOSFET、N チャネル、SUPERFET® II、FRFET®、650 V、35 A、110 mΩ、D2-PAK

Overview

SuperFET® II MOSFET は、最新の高電圧スーパージャンクション (SJ) MOSFET ファミリであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現します。SuperFET® II FRFET® MOSFET は、高速で耐久性の高い固有のボディ・ダイオードの性能を高速スイッチングと組み合わせたもので、特に共振スイッチング・アプリケーションで、より高い信頼性と効率の達成を目標にしています。SuperFET® II FRFET® は、サーバ/テレコム電力、ソーラインバータ、FPD TV 電力、コンピュータ電力、照明および産業用電源アプリケーションなどのスイッチング電源アプリケーションに最適です。

  • 700 V @ TJ = 150°C
  • 通常RDS(on)= 96mΩ(通常)
  • 低ゲート電荷 (通常Qg = 98 nC)
  • 低実効出力容量 (通常Coss(eff.)= 464 pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • RoHS に対応

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FCB110N65F

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CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

1

245

REEL

800

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

D2PAK

High Voltage

Standard

0

Single

0

650

110

DC: ±20, AC: ±30

5

35

357

-

-

-

98

3680

43

670

110

0.65

$2.8937

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