パワー MOSFET、N チャネル、SUPERFET® III、Easy Drive、650 V、14 A、199 mΩ、D2PAK

Overview

SUPERFET III MOSFET は、オン・セミコンダクターの最新の高電圧スーパージャンクション (SJ) MOSFET ファミリであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現します。この先端技術は、伝導損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供、極端な dv/dt レートに対応するよう構成されています。その結果、SUPERFET III MOSFET Easy Drive シリーズは EMI の各種問題の管理に役立ち、設計の実装を容易にします。

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  • Automation
  • Adapter

  • 700 V @ TJ = 150 oC
  • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 30 nC)
  • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 277 pF)
  • Optimized Capacitance
  • Internal Gate resistance: 7.0 ohm
  • Typ. RDS(on) = 170 mΩ
  • 100% Avalanche Tested
  • RoHS Compliant
  • Wave soldering guarantee

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状態

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FCB199N65S3

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CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

1

245

REEL

800

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

D2PAK

High Voltage

Standard

0

Single

0

650

199

±30

4.5

14

98

-

-

-

30

1225

13

3500

30

-

$1.6037

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