パワー MOSFET、N チャネル、SUPERFET®、Easy Drive、600 V、4.6 A、950 mΩ、DPAK

Overview

SuperFET® II MOSFET は、初代の高電圧スーパー・ジャンクション (SJ) MOSFET ファミリであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現します。この技術は、伝導損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能、dv/dt レート、およびより高いアバランシェ・エネルギーに対応するよう構成されています。その結果、SuperFET MOSFET は、PFC、サーバ/テレコム電源、FPD TV 電源、ATX 電源、産業用電源アプリケーションなどのスイッチング電源アプリケーションに非常に適しています。

  • ă�“ă�®čŁ˝ĺ“�ă�Żĺ¤šć§�ă�Şç”¨é€”ă�«é�©ă�—ă�źć±Žç”¨ĺ“�ă�§ă�™ă€‚

  • 650V @TJ = 150°C
  • 通常 RDS(on) = 810mΩ
  • 超少量のゲート電荷 (通常 Qg = 16nC )
  • 低実効出力容量 (通常 Coss.eff = 32pF )
  • 100%電子なだれテスト済み
  • RoHS対応

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to FCD5N60

Buy/Parametrics Table

検索

Close Search

製品:

2

共有

Product Groups:

Orderable Parts:

2

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FCD5N60TM

Loading...

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

DPAK

High Voltage

Standard

0

Single

0

600

950

±30

5

4.6

54

-

-

-

16

470

7

2700

250

22

$0.7544

More Details

FCD5N60TM-WS

Loading...

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

DPAK

High Voltage

Standard

0

Single

0

600

950

±30

5

4.6

54

-

-

-

16

470

7

2700

250

22

$0.6507

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.