パワー MOSFET、N チャネル、SUPERFET® II、800 V、6 A、850 mΩ、DPAK

Overview

SuperFET® II MOSFET は、最新の高電圧スーパージャンクション (SJ) MOSFET ファミリであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現します。この技術は、伝導損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能、dv / dt レート、およびより高いアバランシェ・エネルギーに対応するよう構成されています。さらに、内部のゲート・ソース間ESDダイオードにより、2kVを超えるHBMサージストレスに対応することができます。その結果、SuperFET II MOSFETは、オーディオ、ノートPC用アダプター、照明、ATX電源、産業用電源アプリケーションなどのスイッチング電源アプリケーションに非常に適しています。

  • AC-DC Power Supply
  • LED Lighting

  • Typ. RDS(on) = 710 mΩ(Typ.)
  • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 22 nC)
  • Low Eoss (Typ. 2.3 uJ @ 400V)
  • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 106 pF)
  • 100% Avalanche Tested
  • RoHS Compliant
  • ESD Improved Capability

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FCD850N80Z

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CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

DPAK

High Voltage

Standard

0

Single

0

800

850

DC: ±20, AC: ±30

4.5

6

75

-

-

-

29

990

8.6

4500

28

0.74

$0.9293

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