High Voltage MOSFETs | FCD9N60NTM

パワー MOSFET、N チャネル、SUPREMOS®、FAST、600 V、9 A、385 mΩ、DPAK

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SupreMOS®MOSFET は、従来の SJ MOSFET とは異なる Deep Trench 充填プロセスを採用した次世代の高電圧スーパージャンクション (SJ) 技術です。この先端技術と正確なプロセス制御により、最小の Rsp オン抵抗、優れたスイッチング性能、堅牢性が実現します。SupreMOS MOSFET は、PFC、サーバー/テレコム電源、FPD TV 電源、ATX 電源、産業用電源アプリケーションなどの高周波スイッチング電源コンバータ・アプリケーションに非常に適しています。

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  • RDS(on) = 330mΩ }(通常) @VGS = 10V、ID = 4.5A
  • 超少量のゲート電荷 (通常 Qg = 17.8nC )
  • 低実効出力容量 (通常 Coss.eff = 122pF )
  • 100%電子なだれテスト済み
  • RoHS対応

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

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FCD9N60NTM

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Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

1

260

REEL

2500

No

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-252-3

High Voltage

Standard

0

Single

0

600

385

±30

5

9

92.6

-

-

-

17.8

735

7.6

5040

40

3.5

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FCD9N60NTM

Equivalent to wafer fab process: 7S

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

7S

0

591889532

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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