Power MOSFET、Nチャネル、SUPERFET® III、Easy Drive、650 V、75 A、23 mΩ、TO-247 4lead

Overview

SUPERFET III MOSFETは、オン・セミコンダクターの最新の高電圧スーパージャンクション(SJ)MOSFETファミリーであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現します。この先端技術は、伝導損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供、極端なdv / dtレートに対応するよう構成されています。その結果、SUPERFET III MOSFET Easy DriveシリーズはEMIの各種問題の管理に役立ち、設計の実装を容易にします。

  • Telecommunication
  • Cloud system
  • Industrial

  • Telecom power
  • Server power
  • EV charger
  • Solar / UPS

  • 700 V @ TJ = 150 oC
  • Kelvin contact
  • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 222 nC)
  • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1980 pF)
  • Optimized Capacitance
  • Kelvin contact
  • Typ. RDS(on) = 19.5 mΩ
  • 100% Avalanche Tested
  • RoHS Compliant

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FCH023N65S3L4

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-4

NA

0

TUBE

450

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-247

High Voltage

Standard

0

Single

0

650

23

±30

4.5

75

595

-

-

-

222

7160

90

17900

195

-

$13.3343

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