パワー MOSFET、N チャネル、SUPREMOS®、FAST、600 V、10.8 A、299 mΩ、TO-220

Obsolete

Overview

SupreMOS® MOSFET は、従来のスーパージャンクション (SJ) MOSFET とは異なる Deep Trench 充填プロセスを採用した次世代の高電圧 SJ 技術です。この先端技術と正確なプロセス制御により、最小の Rsp オン抵抗、優れたスイッチング性能、堅牢性が実現します。SupreMOS MOSFET は、PFC、サーバー/テレコム電源、FPD TV 電源、ATX 電源、産業用電源アプリケーションなどの高周波スイッチング電源コンバータ・アプリケーションに非常に適しています。

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  • RDS(on) = 255mΩ (通常) @VGS = 10V、ID = 5.4A
  • 超少量のゲート電荷 (通常 Qg = 27.4nC )
  • 低実効出力容量 (通常 Coss.eff = 130pF )
  • 100%電子なだれテスト済み
  • RoHS対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FCP11N60N

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

800

No

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

High Voltage

Standard

0

Single

0

600

299

±30

4

10.8

94

-

-

-

27.4

1130

8.8

3100

45

3

Price N/A

More Details

FCP11N60N-F102

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TO-220-3

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N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

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299

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