High Voltage MOSFETs | FCPF16N60

600V NチャネルSuperFET®

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Overview

SuperFET® は、優れた低オン抵抗および低ゲート電荷性能のために高度な電荷バランス機構を利用するフェアチャイルド独自の新世代の高電圧MOSFETファミリーです。 この高度な技術は導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、非常に高いdv/dtレートと高い電子なだれエネルギーに耐えるように設計されています。 そのため、SuperFETはシステムの小型化と高い効率のためのスイッチングモード動作におけるさまざまなAC/DC電源変換に最適です。

  • 650V @TJ = 150°C
  • 通常 Rds(on) = 0.22O
  • 非常に少量のゲート電荷 (通常 Qg=55nC)
  • 低実効出力容量 (通常 Coss.eff=110pF)
  • 100%電子なだれテスト済み

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FCPF16N60

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3 FullPak

221AT

NA

0

TUBE

1000

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220FP

High Voltage

Standard

0

Single

0

600

260

±30

5

16

37.9

-

-

-

55

1630

28

7000

960

85

$2.1637

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FCPF16N60

Equivalent to wafer fab process: 3A

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3A

26

7287033440

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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