High Voltage MOSFETs | FCPF190N60

パワー MOSFET、N チャネル、SUPERFET® II、FAST、600V、20.2A、199mΩ、TO-220F

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Overview

SuperFET® II MOSFET は、最新の高電圧スーパージャンクション MOSFET ファミリであり、先進の電荷バランス技術を活用して優れた低オンステート抵抗と低ゲート電荷を実現します。この高度な MOSFET は、伝導損失を最小限に抑えるだけでなく、優れたスイッチング性能を実現するよう構成されています。これらの利点に加えて、従来のスーパージャンクション MOSFET よりも非常に高い dv / dt レートと大きなアバランシェ・エネルギーも提供します。SuperFET II MOSFET は、システムの小型化と高効率化を目的としたさまざまなスイッチング電源アプリケーションに適しています。

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  • 650V @TJ = 150°C
  • 最大 RDS(on) = 199mΩ
  • 超少量のゲート電荷 (通常 Qg = 57nC )
  • 低実効出力容量 (通常 Coss.eff = 160pF )
  • 100%電子なだれテスト済み

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

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FCPF190N60

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3 FullPak

221AT

NA

0

TUBE

1000

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220FP

High Voltage

Standard

0

Single

0

600

199

DC: ±20, AC: ±30

3.5

20.2

39

-

-

-

57

2220

21

5100

1630

85

$1.6942

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FCPF190N60

Equivalent to wafer fab process: 3A

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3A

26

7287033440

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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