High Voltage MOSFETs | FCU2250N80Z

NチャンネルSuperFET® II MOSFET 800 V、2.6 A、 2.25 Ω

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SuperFET® II MOSFETは、非常に低いオン抵抗と少量のゲート電荷パフォーマンスを実現するための電荷バランス技術を利用した、フェアチャイルド セミコンダクターの新しい高電圧スーパー ジャンクション (SJ) MOSFETファミリーです。 この技術は導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能、dv/dt レート、および高い電子なだれエネルギーを提供するよう計画されています。 そのため、SuperFET II MOSFETはオーディオ、ラップトップアダプター、照明機器、ATX電源および産業用電源用途などのスイッチング電源用途に最適です。

  • RDS(on) = 1.87 Ω（通常）
  • 非常に少量のゲート電荷 (通常 Qg = 11 nC）
  • 低Eoss (通常 1.1 uJ @ 400V）
  • 低実効出力容量 (通常 Coss(eff.) = 51 pF）
  • 100%電子なだれテスト済み
  • RoHS準拠
  • ESD容量が向上

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

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FCU2250N80Z

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Pb

A

H

P

IPAK-3 / DPAK-3 STRAIGHT LEAD

369AR

NA

0

TUBE

1800

No

N-Channel

PowerTrench® T1

DPAK-3

High Voltage

Standard

0

Single

0

800

2250

DC: ±20, AC: ±30

4.5

2.6

39

-

-

-

11

440

4.3

2200

16

0.74

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FCU2250N80Z

Equivalent to wafer fab process: 3A

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3A

26

7287033440

More Details

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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