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UniFETTM MOSFET は、プレーナ・ストライプおよび DMOS 技術をベースとした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。UniFETFRFET®MOSFET のボディ・ダイオードの逆回復性能は、ライフタイム制御によって強化されています。trr は 100nsec 未満で、逆の dv / dt 耐量は 15V / ns です。通常のプレーナ MOSFET はそれぞれ 200nsec および 4.5V / nsec を超えています。そのため、追加のコンポーネントを削除することができ、MOSFET のボディ・ダイオードの性能が重要な特定のアプリケーションでシステムの信頼性を向上させることができます。このデバイスファミリは、力率改善 (PFC)、フラットパネルディスプレイ (FPD) TV 電源、ATX、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバーターアプリケーションに適しています。
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TO-3PN
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