High Voltage MOSFETs | FDA28N50F

パワー MOSFET、N チャネル、UniFETTM、FRFET®、500 V、28 A、175 mΩ、TO-3P

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UniFETTM MOSFET は、プレーナ・ストライプおよび DMOS 技術をベースとした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。UniFETFRFET®MOSFET のボディ・ダイオードの逆回復性能は、ライフタイム制御によって強化されています。trrは100nsec 未満で、逆の dv/dt 耐量は 15V/ns ですが、通常のプレーナ MOSFET はそれぞれ 200nsec および 4.5V/nsec を超えています。そのため、追加のコンポーネントを削除することができ、MOSFET のボディ・ダイオードの性能が重要な特定のアプリケーションでシステムの信頼性を向上させることができます。このデバイス・ファミリは、力率改善 (PFC)、フラットパネル・ディスプレイ (FPD) TV 電源、ATX、電子ランプ・バラストなどのスイッチング電源コンバータ・アプリケーションに適しています。

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  • RDS(on) = 140mΩ ( 通常)@ VGS = 10V、 ID = 14A
  • 少量のゲート電荷 (通常 80nC)
  • 低Crss (通常 38pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 改良されたdv/dt能力
  • RoHS対応

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

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Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDA28N50F

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High Voltage

Standard

0

Single

0

500

175

±30

5

28

310

-

-

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80

3975

31

1380

566

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信頼性データ

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Device: FDA28N50F

Equivalent to wafer fab process: 3C

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3C

0

1676189102

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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