High Voltage MOSFETs | FDD5N50NZ

Power MOSFET、Nチャネル、UniFETTM II、500 V、4 A、1.5 Ω、DPAK

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Overview

UniFETTM II MOSFETは、プレーナストライプおよびDMOS技術をベースとした高電圧MOSFETファミリーです。この高度なMOSFETファミリーは、プレーナMOSFETの中で最小のオン抵抗を備え、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供します。さらに、内部のゲート・ソース間のESDダイオードにより、UniFET II MOSFETは2kV以上のHBMサージ電圧に対応することができます。このデバイスファミリーは、力率改善（PFC)、フラットパネルディスプレイ（FPD）TV電源、ATX、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバーターアプリケーションに適しています。

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  • RDS(on) = 1.38Ω (通常)@ VGS = 10V、ID = 2A
  • 少量のゲート電荷 (通常 9nC)
  • 低Crss (通常 4pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 改良されたdv/dt能力
  • ESD機能改善
  • RoHS対応

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDD5N50NZTM

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CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

1

260

REEL

2500

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

DPAK

High Voltage

Standard

0

Single

0

500

1500

±25

5

4

62

-

-

-

9

330

4

1100

50

4

$0.378

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDD5N50NZTM

Equivalent to wafer fab process: 3C

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3C

0

2817481193

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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