High Voltage MOSFETs | FDD6N50TM_F085

500V N チャネル MOSFET 6A、0.9Ω

Obsolete

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Overview

これら N チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自のプレーナ・ストライプ、DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、高効率スイッチ・モード電源およびアクティブな力率補正に最適です。

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  • 6A, 500V
  • RDS(on) = 0.9Ω @ VGS = 10 V
  • Low gate charge (typical 12.8 nC)
  • Low Crss (typical 9 pF)
  • Fast switching
  • 100% avalanche tested
  • Improved dv/dt capability
  • Qualified to AEC Q101
  • RoHS Compliant

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDD6N50TM-F085

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

1

260

REEL

2500

No

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-252-3

High Voltage

Standard

0

Single

0

500

900

±30

5

6

89

-

-

-

12.8

720

5.8

1.7

95

9

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDD6N50TM-F085

Equivalent to wafer fab process: 3C

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3C

0

2817481193

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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