High Voltage MOSFETs | FDH44N50

Power MOSFET、Nチャネル、UniFETTM、500 V、44A、120mΩ、TO-247

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Overview

UniFETTM MOSFETは、プレーナストライプおよびDMOS技術をベースとした高電圧MOSFETファミリーです。このMOSFETは、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を向上させるよう構成されています。このデバイスファミリーは、力率改善（PFC)、フラットパネルディスプレイ（FPD）TV電源、ATX、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバーターアプリケーションに適しています。

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  • 少量のゲート電荷Qgのため、ドライブ要件が単純です (通常 90nC)
  • 改善したゲート、電子なだれおよび高い最適用dv/dt堅牢性
  • 低減RDS(on) ( 110mΩ (通常)@ VGS = 10V、ID = 22A)
  • ミラー容量および入力容量が減少 (通常 Crss = 40pF)
  • 低EMIでスイッチング速度を向上
  • 175oC定格接合部温度

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDH44N50

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

340CK

NA

0

TUBE

450

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-247

High Voltage

Standard

0

Single

0

500

120

±30

4

44

750

-

-

-

90

5335

31

14

645

40

$5.1328

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDH44N50

Equivalent to wafer fab process: 2B

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

2B

0

59900249

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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