High Voltage MOSFETs | FQA8N90C-F109

NチャネルQFET® MOSFET 900V、8.0A、1.9Ω

Obsolete

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Overview

このNチャンネル強化モードのパワーMOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクター独自のプレーナストライプおよびDMO 技術を使って生産されています。 この高度MOSFET技術はオン抵抗を低減し、優れたスイッチング性能と高い電子なだれエネルギー強度を提供するように設計されています。 これらのデバイスはスイッチモードパワーサプライ、アクティブな力率改善 (PFC)、電気ランプブラストに適しています。

  • デスクトップPC
  • AC-DC商用パワーサプライ - デスクトップPC
  • 8A、 900V、RDS(on) = 1.9Ω(最大) @VGS = 10 V、 ID = 4A
  • 少量のゲート電荷 (通常 35nC)
  • 低Crss (通常 12pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • RoHS対応

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQA8N90C-F109

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-3P-3L

340BZ

NA

0

TUBE

450

No

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-3P-3

High Voltage

Standard

0

Single

0

900

1900

±30

5

8

240

-

-

-

35

1600

14

5800

130

12

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FQA8N90C-F109

Equivalent to wafer fab process: CE

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

CE

15

3012694227

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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