High Voltage MOSFETs | FQB6N40C

パワー MOSFET、N チャネル、QFET®、400 V、6 A、1.0 Ω、D2PAK

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Overview

これら N チャネル・エンハンスメント・モード電界効果トランジスタは、独自のプレーナ・ストライプ、DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、高効率スイッチ・モード電源、ハーフブリッジに基づく電子ランプ・バラストに最適です。

  • High Efficiency Switched Mode Power Supplies
  • Electronic Lamp Ballasts based on Half Bridge Topology
  • 6 A、400 V、RDS(on) = 1.0 Ω (最大) @ VGS = 10 V、ID = 3 A
  • 少量のゲート電荷 (通常 16nC)
  • 低Crss (通常 15pF)
  • 100%電子なだれテスト済み

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQB6N40CTM

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View__CAD

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

418AJ

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245

REEL

800

No

N-Channel

PowerTrench® T1

D2PAK-3

High Voltage

Standard

0

Single

0

400

1000

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480

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1700

80

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FQB6N40CTM

Equivalent to wafer fab process: CE

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

CE

15

3012694227

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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