High Voltage MOSFETs | FQB7N60

NチャネルQFET® MOSFET 600V、7.4A、1Ω

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このNチャンネル強化モードのパワーMOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクター独自のプレーナストライプおよびDMO 技術を使って生産されています。 この高度MOSFET技術はオン抵抗を低減し、優れたスイッチング性能と高い電子なだれエネルギー強度を提供するように設計されています。 これらのデバイスはスイッチモードパワーサプライ、アクティブな力率改善 (PFC)、電気ランプブラストに適しています。

  • 照明用
  • 7.4A、600V、RDS(on) = 1.0Ω(最大)@VGS = 10 V、ID = 3.7A
  • 少量のゲート電荷 (通常 29nC)
  • 低Crss (通常 16pF）
  • 100%電子なだれテスト済み

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQB7N60TM

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Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

418AJ

1

245

REEL

800

No

N-Channel

PowerTrench® T1

D2PAK-3

High Voltage

Standard

0

Single

0

600

1000

±30

5

7.4

142

-

-

-

29

1100

14.5

2400

135

16

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FQB7N60TM

Equivalent to wafer fab process: 3D

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3D

10

2342695283

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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