パワー MOSFET、N チャネル、QFET®、600 V、3 A、3.4 Ω、TO-220

Obsolete

Overview

この N チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、当社独自のプレーナストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、アクティブ力率補正 (PFC)、および電子ランプバラストに適しています。

  • 照明用
  • 3A、600V、RDS(on) = 3.4Ω(最大) @VGS = 10 V、 ID = 1.5A
  • 少量のゲート電荷 (通常 10.5nC)
  • 低Crss (通常 5pF)
  • 100%電子なだれテスト済み

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to FQP3N60C

Buy/Parametrics Table

検索

Close Search

製品:

1

共有

Product Groups:

Orderable Parts:

1

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQP3N60C

Loading...

Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

1000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

High Voltage

Standard

0

Single

0

600

3400

±30

4

3

75

-

-

-

10.5

435

4.5

1600

45

5

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.