High Voltage MOSFETs | FQP6N70

700V N チャネル QFET®

Obsolete

Datasheet

購入

Overview

これらの N チャネル・エンハンスメント・モード電界効果トランジスタは、当社独自のプレーナ・ストライプ、DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギー・パルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、高効率スイッチ・モード電源に最適です。

  • 6.2 A、700V、RDS(on) = 1.5Ω @VGS = 10 V
  • 少量のゲート電荷(通常30 nC)
  • 低Crss (通常15 pF)
  • 高速スイッチング
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 改良されたdv/dt機能

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to FQP6N70

CAD Model

CAD Model

材料組成

製品変更通知

Buy/Parametrics Table

検索

Close Search

製品:

1

共有

並べ替え

Product Groups:

┗

Orderable Parts:

1

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQP6N70

Loading...

Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

340AT

NA

0

TUBE

1000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

NA

High Voltage

Standard

0

Single

0

700

1500

±30

5

6.2

142

-

-

-

30

1100

13

2700

125

15

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

1
contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.