パワー MOSFET、N チャネル、QFET®、500 V、5 A、1.4 Ω、TO-220F

Obsolete

Overview

これら N チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自のプレーナ・ストライプ、DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギー・パルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、高効率スイッチ・モード電源、力率補正、ハーフブリッジに基づく電子ランプ・バラストに最適です。

  • High Efficiency Switched Mode Power Supplies
  • Active Power Factor Correction (PFC)
  • Electronic Lamp Ballasts based on Half Bridge Topology
  • 5A、 500V
  • RDS(ON) = 1.4 Ω @ VGS = 10V
  • 少量のゲート電荷 (通常 18nC)
  • 低Crss (通常 15pF)
  • 高速スイッチング
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 改良されたdv/dt機能

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to FQPF5N50C

Buy/Parametrics Table

検索

Close Search

製品:

1

共有

Product Groups:

Orderable Parts:

1

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQPF5N50CYDTU

Loading...

Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

800

No

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

High Voltage

Standard

0

Single

0

500

1400

±30

4

5

38

-

-

-

18

480

9.7

1900

80

15

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.