High Voltage MOSFETs | FQPF5N60C

Power MOSFET、Nチャネル、QFET®、600V、4.5A、2.5Ω、TO-220F

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Overview

これらNチャネル拡張モード電界効果トランジスタは独自のプレーナストライプ、DMOS技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、高効率スイッチモード電源、力率補正、ハーフブリッジに基づく電子ランプバラストに最適です。

  • 4.5A、 600V、 RDS(on) = 2.5Ω @VGS = 10V
  • 少量のゲート電荷 (通常 15 nC)
  • 低 Crss (通常 6.5 pF)
  • 高速スイッチング
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 改良されたdv/dt機能

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQPF5N60C

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P

TO-220-3 FullPak

221AT

NA

0

TUBE

1000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220FP

High Voltage

Standard

0

Single

0

600

2500

±30

4

4.5

33

-

-

-

15

515

6.6

2200

55

6.5

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FQPF5N60C

Equivalent to wafer fab process: CE

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

CE

15

2535417142

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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