High Voltage MOSFETs | FQPF6N80T

NチャネルQFET® MOSFET 800V、3.3A、1.95Ω

Obsolete

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Overview

このNチャンネル強化モードのパワーMOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクター独自のプレーナストライプおよびDMO 技術を使って生産されています。 この高度MOSFET技術はオン抵抗を低減し、優れたスイッチング性能と高い電子なだれエネルギー強度を提供するように設計されています。 これらのデバイスはスイッチモードパワーサプライ、アクティブな力率改善 (PFC)、電気ランプブラストに適しています。

  • LCD TV
  • ホームオーディオ システムコンポーネント
  • 3.3A、800V、RDS(on) = 1.95Ω(最大) @VGS = 10 V、ID = 1.65A
  • 少量のゲート電荷 (通常 31nC)
  • 低Crss (通常 14pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 100%のパッケージ絶縁試験済み

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQPF6N80T

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3 FullPak

221AT

NA

0

TUBE

1000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220FP

High Voltage

Standard

0

Single

0

800

1950

±30

5

3.3

51

-

-

-

31

1150

15

5700

125

14

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FQPF6N80T

Equivalent to wafer fab process: 3D

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3D

10

2342695283

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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