HUF75345G3

N チャネル UltraFET パワー MOSFET 55V、75A、7mΩ

Overview

これらの N チャネルパワー MOSFET は、革新的な UltraFET プロセスを使用して製造されています。この高度なプロセス技術により、各シリコン面積の最大限の低オン抵抗を実現し、卓越した性能を提供します。このデバイスは、アバランシェモードで高エネルギーに対応でき、ダイオードは短時間での逆回復と蓄積電荷を果たします。ポータブルおよびバッテリー駆動製品のスイッチングレギュレーター、スイッチングコンバーター、モータードライバー、リレードライバー、低電圧バススイッチ、電源管理など、電力効率が重要なアプリケーションでの使用を目的として設計しました。

アプリケーション

AC-DC商用パワーサプライ - サーバー & ワークステーション
ワークステーション
サーバー&メインフレーム

特長

75A、55V
温度補償PSPICE® とSABER™モデル
Webで利用可能な熱インピーダンスPSPICEおよびSABERモデル
ピーク電流対パルス幅カーブ
UIS定格曲線
関連文献
TB334、「表面実装部品をPC基板にはんだ付けする際のガイドライン」これらのNチャンネルパワーMOSFETは、革新的なUltraFET® プロセスを使用して製造されます。この高度なプロセス技術はシリコン面積あたりの非常に低いオン抵抗を実現し、優れた性能を発揮します。このデバイスは電子なだれモードで高エネルギーに耐えることができ、ダイオードは非常に低い逆回復時間と保存電荷を示します。ポータブル機器およびバッテリー駆動製品のスイッチングレギュレーター、スイッチングコンバーター、モータードライバー、リレードライバー、低電圧バススイッチ、パワーマネージメントなど、電力効率が重要な用途のために設計されています。

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

HUF75345G3

Active

TO-247-3

340CK

TUBE

450

N-Channel

Single

±20

325

125

4000

$2.1145

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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