N チャネル UltraFET パワー MOSFET 55V、2.6A、90mΩ

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Overview

これらの N チャネル・パワー MOSFET は、革新的な UltraFET® プロセスを使用して製造されています。この高度なプロセス技術により、各シリコン面積の最大限の低オン抵抗を実現し、卓越した性能を提供します。このデバイスは、アバランシェ・モードで高エネルギーに対応でき、ダイオードは短時間での逆回復と蓄積電荷を果たします。ポータブルおよびバッテリ駆動製品のスイッチング・レギュレータ、スイッチング・コンバータ、モータ・ドライバ、リレー・ドライバ、低電圧バス・スイッチ、電源管理など、電力効率が重要なアプリケーションでの使用を目的として設計しました。旧開発型 TA75307。

  • ボディエレクトロニクス
  • 快適性と利便性
  • インフォテインメント
  • ポータブルナビゲーション
  • パワートレイン
  • 安全と管理
  • 車両安全システム
  • その他のオートモーティブ
  • その他
  • 2.6A、 55V
  • 超オン抵抗、rDS(ON) = 0.090Ω
  • 高速かつソフトリカバリのダイオード
  • 温度補償PSPICE® モデル
  • 熱インピーダンスSPICEモデル
  • ピーク電流対パルス幅カーブ
  • UIS定格曲線
  • 関連文書 -TB334、「PCボードへの表面実装部品のガイドライン」

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

HUFA75307T3ST

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-223-4 / TO-261-4

1

260

REEL

4000

N

55

90

N-Channel

Single

±20

4

2.6

1.1

-

-

-

8.3

250

Price N/A

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