Power MOSFET、N チャネル、A-FET、100 V、2.3 A、0.2 Ω、SOT-223

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Overview

これら N チャネル拡張モード電界効果トランジスタは独自のプレーナ、DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、高効率スイッチング DC-DC コンバータ、スイッチモード電源、非割り込み電源用 DC-AC コンバータおよびモータ制御に最適です。

  • その他の産業用
  • 電子なだれ耐性技術
  • 堅牢なゲート酸化膜技術
  • 低入力容量
  • 改善されたゲート電荷
  • Extended Safe Operating Area
  • Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100 V
  • Lower rDS(on) : 0.155 Ω (Typ.)

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

IRFM120ATF

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-223-4 / TO-261-4

1

250

REEL

4000

N

100

200

N-Channel

Single

±20

4

2.3

2.4

-

-

-

16

370

$0.2799

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