IRL640A

パワー MOSFET、N チャネル、ロジックレベル、A-FET、200 V、18 A、180 mΩ、TO-220

Overview

これら N チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自のプレーナ、DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、高効率スイッチング DC-DC コンバータ、スイッチモード電源、非割り込み電源用 DC-AC コンバータおよびモータ制御に最適です。

アプリケーション

その他のオーディオ&ビデオ

特長

18 A, 200 V
r_DS(ON) = 180 mΩ @ V_GS = 5 V
Low Gate Charge (Typ. 40 nC)
Low C_rss (Typ. 95 pF)
Fast Switching Speed
100% Avalanche Tested
Improved dv/dt Capability
ロジックレベルゲートドライブ

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

IRL640A

Last Shipments

TO-220-3

340AT

TUBE

1000

200

N-Channel

Single

±20

110

180

1310

Price N/A

IRL640APWD

Obsolete

E-PKG AXIAL-LEADED GLASS DIODE

017AE

UNKNOWN

200

N-Channel

Single

±20

110

180

1310

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