Low/Medium Voltage MOSFETs | BUZ11

Nチャネル・パワーMOSFET 50V、30A、40mΩ

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これはNチャネル拡張モード・シリコンゲート・パワーMOSFETです。スイッチングレギュレータ、スイッチングコンバータ、モータドライバ、リレードライバ、 高速で低電力でのゲート駆動を必要とする高出力バイポーラ・スイッチングトランジスタ用ドライバといったアプリケーション向けに設計されています。このタイプは集積回路から直接操作できます。旧開発タイプはTA9771です。

  • TBA

  • 30A、50V
  • rDS(ON)= 0.040Ω
  • SOAはワット損が制限されています
  • ナノ秒のスイッチング速度
  • リニア転送特性
  • 高入力インピーダンス
  • 多数キャリアデバイス
  • 関連文書- TB334 「PCボードへのはんだ付け表面にマウントされた コンポーネントのガイドライン」

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

BUZ11-NR4941

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

340AT

NA

0

TUBE

800

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

50

40

±20

2

30

75

-

-

-

7

1500

-

250

750

250

$0.4583

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: BUZ11-NR4941

Equivalent to wafer fab process: U2

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

U2

0

3282858009

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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