Low/Medium Voltage MOSFETs | FDB024N04AL7

NチャネルPowerTrench® MOSFET 40V、219A、2.4mΩ

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Overview

このNチャンネルMOFSETは、オン状態抵抗を最小限に抑える一方で、優れたスイッチング能力を維持するフェアチャイルドセミコンダクターの優れたPowerTrench® プロセスを使用して生産されています。

  • AC-DC商用パワーサプライ - サーバー & ワークステーション
  • AC-DC商用パワーサプライ - デスクトップPC
  • その他のデータプロセッシング

  • RDS(on) = 2.0mΩ (通常)@ VGS = 10V、ID = 80A
  • 高速スイッチング速度
  • 少量のゲート電荷、QG = 84nC (通常)
  • 超低RDS(on)用の高性能トレンチ技術
  • 高い電力および電流処理能力
  • RoHS対応

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状態

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDB024N04AL7

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Pb

A

H

P

D2PAK-7 / TO-263-7

418AY

1

245

REEL

800

N

N-Channel

PowerTrench® T1

D2PAK7

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

40

2.4

±20

3

219

214

-

-

-

84

5490

12

49

1220

155

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDB024N04AL7

Equivalent to wafer fab process: RH

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

RH

0

779824089

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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