Low/Medium Voltage MOSFETs | FDD6296

ファストスイッチング Nチャネル PowerTrench® MOSFET、30V、50A、8.8mΩ

Obsolete

Datasheet

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Overview

このNチャネルMOSFETは、同期または従来のスイッチングPWMコントローラーを使用して、DC/DCコンバーターの全体的な効率を改善するために特別に設計されています。低ゲート電荷、低RDS（ON）、高速スイッチング速度向けに最適化されています。

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  • 50A、30V
  • RDS(ON) = 8.8 mΩ @ VGS = 1V
  • RDS(ON) = 11.3 mΩ @ VGS = 4.5V
  • 少量のゲート電荷
  • 高速スイッチング
  • 超低RDS(ON)
    用高性能トレン

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDD6296

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

1

260

REEL

2500

N

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-252-3

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

30

8.8

20

3

50

52

-

11.3

6.7

22.5

1440

-

-

-

-

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDD6296

Equivalent to wafer fab process: T3

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T3

0

442385824

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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