Low/Medium Voltage MOSFETs | FDFM2N111

20V 統合型 NチャネルPowerTrench® MOSFET + ショットキーダイオード

Obsolete

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FDFM2N111は、フェアチャイルドのPowerTrench MOSFET技術の卓越した性能に、MicroFETパッケージにおける非常に低いフォワード電圧降下ショットキーバリア整流器を組み合わせたものです。
このデバイスは、標準降圧コンバーターのシングルパッケージソリューションとして特に設計されています。 非常に低いオン状態抵抗の高速スイッチング、少量のゲート電荷MOSFET。

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  • 4 A、20V
  • RDS(ON)=100mΩ@VGS=4.5V
  • RDS(ON)=150mΩ@VGS=2.5V
  • 低プロファイル-最大0.8ミリメートル-新しいパッケージMicroFET3x3mm

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDFM2N111

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-6

511DT

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

WDFN-6

Low-Medium Voltage

Logic

0

with Schottky Diode

0

20

-

12

1.5

4

1.7

150

100

-

2.7

273

-

-

-

-

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDFM2N111

Equivalent to wafer fab process: S1,TT

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

S1,TT

0

153640249

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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