統合 P チャネル PowerTrench® MOSFET およびショットキー・ダイオード -20V、-3.0A、120mΩ

Obsolete

Overview

このデバイスは、セルラー・ハンドセットやその他のウルトラポータブル・アプリケーションのバッテリ充電スイッチ用のシングル・パッケージ・ソリューションとして特別に設計されています。低オン抵抗の MOSFET を備えており、導通損失を最小限に抑えるため、独立して接続された低順方向電圧ショットキー・ダイオードです。MicroFET 2x2 パッケージは、その物理的サイズに対して並外れた熱性能を提供し、リニア・モード・アプリケーションに最適です。

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  • -3.0 A、-20V
  • RDS(ON) = 120 mΩ @ VGS = -4.5 V
  • RDS(ON) = 160 mΩ @ VGS = -2.5 V
  • RDS(ON) = 240 mΩ @ VGS = -1.8 V
    ショットキー:
    VF < 0.46 V @ 500 mA
  • 低プロファイル (最大0.8mm) の新しいパッケージMicroFET2x2 mm
  • RoHS対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDFMA2P853

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-6

1

260

REEL

3000

No

P-Channel

PowerTrench® T1

Power 22

Low-Medium Voltage

Logic

0

Dual

0

-20

-

8

-1.3

-3

1.4

Q1=Q2=160

Q1=Q2=120

-

4

435

-

-

-

-

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