シングル P チャネル PowerTrench® MOSFET -20V、-2.5A、13mΩ

Obsolete

Overview

このデバイスは、セルラー・ハンドセットやその他のウルトラポータブル・アプリケーションのバッテリ充電またはロード・スイッチ向けに特別に設計されています。オン抵抗が低い MOSFET および ESD を対象としたツェナーダイオード保護を備えています。MicroFET 2x2 パッケージは、その物理的サイズに対して並外れた熱性能を提供し、リニアモードアプリケーションに最適です。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

  • 最大 rDS(on) = 13 mΩ @ VGS =-4.5V、 ID =-2.5 A
  • 最大 rDS(on) = 16 mΩ at VGS = -2.5 V, ID = -1.4 A
  • 最大 rDS(on) = 20 mΩ @ VGS = -1.8 V、 ID = -1.0 A
  • 最大 rDS(on) = 30 mΩ @ VGS = -1.5 V、ID = -0.85 A
  • 低プロファイル -大 0.8 mm、新パッケージ MicroFET2x2 mm
  • HBM ESD保護レベル > 1K V 通常 (注 3)
  • ハロゲン化合物、アンチモン酸化物を含まない
  • RoHS準拠

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMA008P20LZ

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-6

1

260

REEL

3000

N

P-Channel

PowerTrench® T1

Power 22

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

-20

-

8

-1.4

-2.5

2.4

16

13

10

28.5

3131

-

-

-

-

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