Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMA291P

P チャネル PowerTrench® MOSFET、 1.8V 仕様、-20V、-6.6A、42mΩ

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Overview

このデバイスは、セルラー・ハンドセットやその他のウルトラポータブル・アプリケーションのバッテリ充電またはロード・スイッチ向けに特別に設計されています。オン抵抗が低い MOSFET を備えています。MicroFET 2x2 パッケージは、その物理的サイズに対して並外れた熱性能を提供し、リニア・モード・アプリケーションに最適です。

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  • -6.6 A、-20 V
  • RDS(ON) = 42 mΩ @ VGS = -4.5 V
  • RDS(ON) = 58 mΩ @ VGS = -2.5 V
  • RDS(ON) = 98 mΩ @ VGS = -1.8 V
  • 低プロファイル - 最大0.8mm、新パッケージ MicroFET2x2 mm
  • ハロゲン化化合物および三酸化アンチモンを含みません
  • RoHS対応

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CAD Models

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMA291P

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CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-6

511CZ

1

260

REEL

3000

No

P-Channel

PowerTrench® T1

Power 22

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

-20

-

8

-1

-6.6

2.4

58

42

10

10

1000

-

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-

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDMA291P

Equivalent to wafer fab process: TT

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TT

6

3566152280

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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