Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMA3028N

デュアル N チャネル PowerTrench® MOSFET 30V、3.8A、68mΩ

Obsolete

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Overview

このデバイスは、セルラー・ハンドセットやその他のウルトラポータブル・アプリケーションのデュアル・スイッチ要件のシングル・パッケージ・ソリューションとして特別に設計されています。伝導損失を最小限に抑えるため、オン抵抗が低い 2 つの独立した N チャネル MOSFET を備えています。MicroFET 2x2 パッケージは、その物理的サイズに対して並外れた熱性能を提供し、リニア・モード・アプリケーションに最適です。

  • 携帯電話端末
  • ポータブルデバイス
  • 最大 rDS(on) = 68 mΩ @ VGS = 4.5 V、ID = 3.8 A
  • 最大 rDS(on) = 88 mΩ @ VGS = 2.5 V、ID = 3.4 A
  • 最大 rDS(on) = 123 mΩ @ VGS = 1.8 V、ID = 2.9 A
  • 低プロファイル - 最大0.8mm、新パッケージ MicroFET2x2 mm
  • RoHS対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMA3028N

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-6

511DA

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 22

Low-Medium Voltage

Logic

0

Dual

0

30

-

12

1.5

3.8

1.5

Q1=Q2=88

Q1=Q2=68

20

3.7

282

-

-

-

-

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDMA3028N

Equivalent to wafer fab process: RF

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

RF

0

1180932212

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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