N チャネル PowerTrench® MOSFET、2.5V 仕様、20V、5.7A、30mΩ

Lifetime

Overview

このシングル N チャネル MOSFET は、特別な MicroFET リードフレームで RDS(on) @VGS=2.5V を最適化するために、高度な Power Trench プロセスを使用して設計されています。

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  • RDS(on) = 30mΩ @ VGS = 4.5 V、ID = 5.7A
  • RDS(on) = 40mΩ @ VGS = 2.5 V、ID = 5.0A
  • 低プロファイル (最大0.8mm) 新パッケージMicroFET 2X2 mm
  • HBM ESD保護レベル2.5k V49通常(注3)
  • ハロゲン化合物、アンチモン酸化物フリー
  • RoHS対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMA420NZ

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Lifetime

CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-6

1

260

REEL

3000

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 22

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

20

-

12

1.5

5.7

2.4

40

30

30

8.8

701

-

-

-

-

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