Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMC612PZ

P チャネル PowerTrench® MOSFET -20V、-14A、8.4mΩ

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Overview

この P チャネル MOSFET は、rDS(ON) 、スイッチング性能、堅牢性のために最適化された高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 最大rDS(on) = 8.4 mΩ、VGS = -4.5 V、ID = -14 A
  • 最大 rDS(on) = 13 mΩ @ VGS = -2.5 V、ID = -11 A
  • 超低rDS(on)
    用高性能トレンチ技術
  • 広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能
  • 端子は鉛フリーでRoHS対応です。
  • HBM ESD機能レベル>3.6 KV通常(注4)

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMC612PZ

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CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-8

511DR

1

260

REEL

3000

No

P-Channel

PowerTrench® T1

Power 33 (u8FL)

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

-20

-

12

-1.5

-14

26

13

8.4

14

53

5710

-

-

-

-

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