Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMC8588DC

25V NチャンネルPowerTrench® MOSFET

Obsolete

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Overview

このNチャンネルMOSFETは、同期または従来のスイッチングPWMのコントローラーを用い、全体的な効率を改善し、DC-DCコンバーターのスイッチノードのリンギングを最小限にするよう特に設計されています。 それは、低ゲートチャージ、低rDS(on)、高速スイッチングスピードとボディーダイオードの逆回復性能のために最適化されています。

  • 発電と配電
  • Dual CoolTM 33 PowerTrench® MOSFET
  • 最大 RDS(on) = 5.7 mΩ ＠ VGS = 4.5 V、ID = 17 A
  • 最先端のスイッチング性能
  • 低出力容量、ゲート抵抗とゲート電荷ブースト効率
  • シールドゲートテクノロジは、スイッチノードのリンギングを削減し、EMIとクロス導通のイミュニティを強化。
  • RoHS準拠

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMC8588DC

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

483AL

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 33 Dual Cool

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

25

5

12

1.8

40

41

-

5.7

19.4

12

1695

-

-

-

-

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDMC8588DC

Equivalent to wafer fab process: U5

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

U5

0

54180784

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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