Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMC86012

N チャネル Power Trench® MOSFET 30V、88A、2.7mΩ

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Overview

このデバイスは DC-DC コンバータの効率を改善するために特別に設計されています。MOSFET 構造の新しい技術を使用して、ゲート電荷と低容量のさまざまなコンポーネントを最適化して、スイッチング損失を低減しています。低ゲート抵抗と超低ミラー電荷により、アダプティブおよび固定デッド・タイム・ゲート・ドライブ回路の​​両方で優れたパフォーマンスが得られます。サブロジックレベルのデバイスを提供するために、非常に低い rDS(on) が維持されています。

  • DC-DC商用パワーサプライ

  • 最大 rDS(on) = 2.7 mΩ @ VGS = 4.5 V、ID = 23 A
  • 最大 rDS(on) = 4.7 mΩ @ VGS = 2.5 V、ID = 17.5 A
  • 超低rDS(on)
    のための高パフォーマンス技術
  • 終端は鉛フリー
  • UIL 100%テスト済み
  • RoHS対応

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMC86012

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CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

483AW

1

260

REEL

3000

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 33 (u8FL)

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

30

-

12

1.5

88

54

4.7

2.7

-

16

3625

-

-

-

-

$0.6523

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDMC86012

Equivalent to wafer fab process: RH

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

RH

0

779824089

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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