Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMC86160ET100

N チャネル・シールドゲート PowerTrench® MOSFET 100V、43A、14mΩ

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Overview

この N チャネル MOSFET は、シールドゲート技術を組み込んだ高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン抵抗向けに最適化されています。このデバイスは、高性能 VRM、POL、OR 機能などの、小さなスペースで非常に低い RDS(on) が必要なアプリケーションに最適です。

  • DC-DC商用パワーサプライ
  • 175°Cまでの拡張TJ定格
  • シールドゲートMOSFETテクノロジー
  • 最大 rDS(on) = 14 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 9 A
  • 最大 rDS(on) = 23 mΩ @ VGS = 6 V、ID = 7 A
  • 超低rDS(on)の高パフォーマンス技術
  • 端子は鉛フリーで RoHS準拠
    "

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMC86160ET100

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CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

483AW

1

260

REEL

3000

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 33 (u8FL)

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

100

14

±20

4

43

65

-

-

-

9.8

968

3.5

45

241

11

$1.029

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDMC86160ET100

Equivalent to wafer fab process: T7

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T7

11

6716497626

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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