P チャネル PowerTrench® MOSFET -20V、-8A、24mΩ

Obsolete

Overview

このデバイスは、セルラー・ハンドセットやその他のウルトラポータブル・アプリケーションのバッテリ充電またはロード・スイッチ向けに特別に設計されています。オン抵抗が低い MOSFET および ESD を対象としたツェナーダイオード保護を備えています。MicroFET 1.6x1.6 の薄型パッケージは、その物理的サイズに対して並外れた熱性能を提供し、スイッチングおよびリニア・モード・アプリケーションに最適です。

  • 携帯電話端末
  • ポータブルデバイス
  • 最大 rDS(on) = 24 mΩ @ VGS = -4.5 V、ID = -8 A
  • 最大 rDS(on) = 31 mΩ @ VGS = -2.5 V、ID = -7 A
  • 最大 rDS(on) = 45 mΩ @ VGS = -1.8 V、ID = -6 A
  • 低プロファイル 新パッケージMicroFET 1.6x1.6 Thinで、最大0.55mm
  • HBM ESD保護レベル >2 kV通常(注 3)
  • ハロゲン化合物、アンチモン酸化物フリー
  • RoHS対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDME910PZT

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

UDFN-6

1

260

REEL

5000

No

P-Channel

PowerTrench® T1

Power 22

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

-20

-

8

-1.5

-8

2.1

31

24

3

15

1586

-

-

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