Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMS0312AS

N チャネル PowerTrench® SyncFET™ 30V、22A、5.0mΩ

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Overview

FDMS0312AS は電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。シリコン技術およびパッケージ技術の両方の進歩が組み合わされ、最低の rDS(on) を実現しながら、卓越したスイッチング性能を維持します。このデバイスには、効率的なモノリシックショットキーボディダイオードという利点があります。

  • ノートブックＰＣ

  • 最大 rDS(on) = 5.0 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 18 A
  • 最大 rDS(on) = 6.2 mΩ @ VGS = 4.5 V、ID = 16 A
  • 低いrDS(on) と高効率のための高度なパッケージとシリコンの組み合わせ
  • SyncFETショットキーボディーダイオードが含まれています
  • MSL1堅牢パッケージ設計
  • UIL 100%テスト済み
  • RoHS対応

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMS0312AS

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CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

483AE

1

260

REEL

3000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 56 (SO-8FL)

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

30

5

20

3

22

36

-

6.2

-

11

1365

-

-

-

-

$0.2247

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDMS0312AS

Equivalent to wafer fab process: U4

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

U4

0

1599145130

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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