Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMS039N08B

Nチャネル PowerTrench® MOSFET、80V、100A、3.9mΩ

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Overview

このNチャネルMOSFETは、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように構成された高度なPowerTrench®プロセスを使用して製造されます。

  • AC-DC商用パワーサプライ
  • AC-DC商用パワーサプライ - サーバー & ワークステーション
  • AC-DC商用パワーサプライ - デスクトップPC
  • その他のデータプロセッシング
  • RDS(on) = 3.2mΩ (通常)@ VGS = 10V、ID = 50A
  • 低FOM RDS(on)*QG
  • 小さなリバースリカバリー電荷、Qrr = 80nC
  • ソフトリバースリカバリーボディーダイオード
  • 同期整流器で高効率を実現
  • 高速スイッチング速度
  • 100%のUILがテスト済み
  • RoHS対応

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMS039N08B

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CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

483AE

1

260

REEL

3000

Yes

N-Channel

PowerTrench® T6

Power 56 (SO-8FL)

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

80

3.9

±20

4.5

100

104

-

-

35

77

5715

16

80

881

15

$0.9509

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDMS039N08B

Equivalent to wafer fab process: T9

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T9

0

4725201363

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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