Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMS8018

N チャネル PowerTrench® MOSFET、30V、175A、1.8m Ω

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Overview

この N チャネル MOSFET は、同期または従来のスイッチング PWM コントローラを使用して、DC/DC コンバータの全体的な効率を改善し、スイッチノードのリンギングを最小限に抑えるために特別に設計されています。低ゲート電荷、低 RDS(ON)、高速スイッチング速度およびボディダイオードの逆回復性能向けに最適化されています。

  • コンシューマー
  • 最大 rDS(on) = 1.8 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 30 A
  • 最大 rDS(on) = 2.4 mΩ @ VGS = 4.5 V、ID = 26 A
  • 低いrDS(on) と高効率のための高度なパッケージとシリコンの組み合わせ
  • 次世代強化ボディーダイオード技術、ソフトリカバリ用に設計。
  • MSL1堅牢パッケージ設計
  • UIL 100%テスト済み
  • RoHS対応

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMS8018

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CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

483AE

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 56 (SO-8FL)

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

30

1.8

20

3

175

83

-

2.4

20

28

3935

-

-

-

-

$0.4655

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDMS8018

Equivalent to wafer fab process: RN

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

RN

9

11968865347

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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