Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMS8090

100 V 対称的デュアル N チャネル PowerTrench® MOSFET、40A、13mΩ

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Datasheet

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Overview

このデバイスには、デュアル Power 56 (5 mm X 6 mm MLP) パッケージに 2 つの高速 100 V N チャネル MOSFET が含まれています。このパッケージは熱性能が著しく強化されています。

  • DC-DC商用パワーサプライ
  • 最大 rDS(on) = 13 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 10 A
  • 最大 rDS(on) = 20 mΩ @ VGS = 6 V、ID = 8 A
  • 低インダクタンスパッケージによって、立ち上がり/立ち下がり時間を削減し、スイッチング損失を減少させます
  • MOSFETを統合することで最適なレイアウトが可能、 回路インダクタンス及びスイッチノードのリンギングを抑制
  • UIL 100%テスト済み
  • RoHS対応

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMS8090

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CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-8

511DC

1

260

REEL

3000

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 56 (SO-8FL)

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

100

Q1: 13.0, Q2: 13.0

±20

4

10

59

-

-

-

10

1285

4.1

54

301

16

$2.9826

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDMS8090

Equivalent to wafer fab process: T7

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T7

11

6716497626

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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