Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMS8570SDC

25V NチャネルPowerTrench® SyncFET

Obsolete

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Overview

このNチャンネルSyncFETはフェアチャイルドセミコンダクターの高度なPowerTrench® プロセスを使用して製造されます。シリコンおよびパッケージ技術の進歩の発展が組み合わされ、接合部-周囲間の熱抵抗による非常に優れたスイッチング性能を維持しながら、超低RDS(on)を提供しています。 このデバイスには、効率的なモノリシックショットキーボディーダイオードの追加的な利点があります

  • サーバー
  • デュアルクールPQFNパッケージ
  • 最大 RDS(on) = 2.8 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 28 A
  • 最大 RDS(on) = 3.3 mΩ @ VGS = 4.5 V、ID = 25 A
  • 超低RDS(on)用の高性能技術
  • SyncFETショットキーボディーダイオード
  • RoHS対応

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMS8570SDC

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

483BK

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 56 Dual Cool

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

25

2.8

12

2.2

60

59

-

3.3

24

22

2825

-

-

-

-

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