Low/Medium Voltage MOSFETs | FDP6030BL

N チャネル・ロジックレベル PowerTrench® MOSFET 30V、40A、18mΩ

Obsolete

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Overview

この N チャネル・ロジックレベル MOSFET は、同期または従来のスイッチング PWM コントローラを使用して、DC/DC コンバータの全体的な効率を改善するために特別に設計されています。これらの MOSFET は、同等の RDS(on) 仕様を持つ他の MOSFET よりも高速なスイッチングと低いゲート電荷を特長としており、総合的に効率の高い DC/DC 電源設計を実現します。

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  • 40A、30V
  • RDS(ON)=0.018Ω@VGS=10V
  • RDS(ON)=0.024Ω@VGS=4.5V
  • 高温で規定される臨界DC電気パラメータ
  • 堅牢な内部ソース-ドレイン間ダイオードにより、外部のツェナーダイオード過渡サプレッサーの必要正が排除されます。
  • 超低RDS(ON)
    に対する高性能トレンド技術。
  • 最大175°Cジャンクション温度定格。

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDP6030BL

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

340AT

NA

0

TUBE

800

No

N-Channel

PowerTrench® T1

NA

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

30

18

20

3

40

60

-

24

120

12

1160

-

-

-

-

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDP6030BL

Equivalent to wafer fab process: TR

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TR

1

3586390609

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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